团队负责人：郝霄鹏

  团队成员：吴拥中、邵永亮、徐小龙、张保国、胡海啸、艾子政、杨铭志、史栋、卢启芳、郭恩言、修志亮、张福生、黄美苓

  团队简介：

　　团队以教育部新世纪优秀人才郝霄鹏教授为学术带头人，团队现有专职教师14人，其中山东省重点扶持区域引进急需紧缺人才2人，以团队骨干成员为带头人，青年教师为主体，2022年获批山东省高等学校青年创新人才引育计划项目支持。团队成员均具有博士学位，其中教授3人，副教授5人，讲师6人，是一支年龄结构合理、学科背景多样化、研究经验丰富、能够解决宽禁带半导体晶体材料领域关键问题的创新研究团队。

  主要研究领域：

　　团队立足于半导体材料前沿热点，开展宽禁带半导体氮化物单晶生长和衬底加工、半导体材料与器件性能、低维半导体材料能源领域应用等研究。目前在氮化镓、氮化铝单晶生长与加工、金属氮氧层或复合材料等储能应用等领域已取得了丰硕成果，同时团队结合国家对宽禁带半导体晶体材料的重大需求，着力推动山东省新旧动能转换，为国内高端器件领域提供关键衬底材料。

  主要业绩：

　　团队在基础和应用基础研究方面成果突出，先后主持承担国家863、国家自然科学基金重点、面上、山东省重大、面上等项目等项目20余项，在Advanced Materials，Angewandte Chemie International Edition等国际权威期刊发表SCI论文200余篇，被诺贝尔物理学奖获得者K. S. Novoselov教授等学者他引5000余次，有多篇研究论文被Nature China和Nature Materials作为研究亮点进行评论。获授权发明专利30余项，其中GaN单晶生长及加工相关专利实现成果转化。二维材料的非线性光学效应和磁性获山东省自然科学奖二等奖，氮化物半导体材料的制备及其位错和应力控制获建材科技奖二等奖。